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        1. MoSe2(2H二硒化钼)

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          MoSe2(2H是间接带隙为?1.1eV的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,并且可以被剥离成薄的2D层。MoSe2属于VI族过渡金属二硫属元素(TMDC)。

          2H相二硒化铬晶体具有约0.8-1厘米的典型横向尺寸,为六边形并具有金属外观。我们生产p型和nMoSe2,在室温下具有典型的载电子密度约10 15 cm -3。

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