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        1. MoSe2(2H二硒化鉬)

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          MoSe2(2H是間接帶隙為?1.1eV的半導體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起,并且可以被剝離成薄的2D層。MoSe2屬于VI族過渡金屬二硫屬元素(TMDC)。

          2H相二硒化鉻晶體具有約0.8-1厘米的典型橫向尺寸,為六邊形并具有金屬外觀。我們生產p型和nMoSe2,在室溫下具有典型的載電子密度約10 15 cm -3。

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