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        1. WSe2(二硒化钨)

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          WSe2是间接带隙为?1.3eV的半导体,单层WSe2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,并且可以被剥离成薄的2D层。硒化钨属于VI族过渡金属二硫属元素(TMDC)。

          WSe2晶体具有约0.8-1厘米的典型横向尺寸,呈六边形并具有金属外观。我们生产n型和p型WSe2,在室温下具有?10 15 cm -3的典型电荷载流子密度。

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