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        1. SbAsS?(硫化砷锑)

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          硫化砷锑(SbAsS3)是直接间隙半导体,并且具有约1.7eV的带隙。与二硫化钼类似,它具有薄层间耦?#31995;?#23618;状结构(层状),可以分离成单层。单层厚度测量为?0.8nm。

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