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        1. SbAsS?(硫化砷銻)

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          硫化砷銻(SbAsS3)是直接間隙半導體,并且具有約1.7eV的帶隙。與二硫化鉬類似,它具有薄層間耦合的層狀結構(層狀),可以分離成單層。單層厚度測量為?0.8nm。

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